主讲人简介：何亮，南京大学电子科学与工程学院教授，博士生导师。何亮教授是微电子学和固体电子学领域的优秀学者，在清华大学获得理学和管理学双学士，在美国北卡罗来纳大学教堂山分校获博士学位。2014年入选国家级人才计划，2016年获得江苏省双创人才计划。何亮教授长期从事新型半导体薄膜材料生长，通过光、电、磁、输运等先进手段，研究材料的物理性质和自旋电子微纳原型器件。何亮教授负责/参与了国家重点研发计划、国家重大装备计划、973计划、军委科技委装备项目、国家自然科学重点项目等多项国家重大项目；发表SCI论文180余篇，主要著作包括，Nature Nanotechnology 1篇，Nature Materials 1 篇, NC 3篇，Nano Letters 10篇，ACS Nano 7篇, PRL 3篇等等，总引用6000余次，H 因子33。
报告内容概要：随着AI、5G、IoT及工业4.0等技术的飞速发展，信息数据量正经历前所未有的爆炸式增长，这一趋势催生了全新的计算需求，进而驱动存储器技术向更高容量、更高读写耐久性、更快读写速度及更低功耗的方向迈进。替代闪存，开发新一代的存储技术成为了迫在眉睫的事情。最近几年，各种新型存储器件不断地从实验室走向商业应用。本次报告将重点介绍磁随机存储器（MRAM）在前沿科学领域，以及商业制造领域的最新进展。同时还会分析一下，其它几种阻变存储器（RRAM），相变存储器（PCRAM），铁电存储器（FeRAM），以及赛道存储器（Racetrack Memory），包括基本器件原理及商业应用前景等。最后，会比较讨论一下几种新型存储器技术路线各自的优缺点。
