9月15日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所于广辉研究员及其研究团队受邀来访我校光电学院开展学术交流，并作了题名为“铜表面石墨烯CVD生长的氢氧调控”的学术报告。光电学院的30余名师生参加了此次学术报告会，学术报告会由特聘院长金尚忠教授主持。
      于广辉研究员在讲座中首先介绍了石墨烯材料的性质特点和近年来的应用现状，并对未来的应用前景做了展望。然后在报告中着重介绍了石墨烯生长模式的氢氧调控、氢氧刻蚀对石墨烯缺陷的控制以及氢氧气氛对石墨烯形貌影响，并提到如何通过氢氧组分的控制，实现石墨烯大面积、高质量的快速生长。学术交流期间，于广辉研究员与我院达成了初步的合作意向，双方就石墨烯的制备、应用及其产业化等方面进行了深入的交流。在学科老师的陪同下，于广辉研究员一行还参观了光电学院相关实验室。
      于广辉研究员，中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室研究员，博士生导师。1999年在中科院长春物理所凝聚态物理专业获得博士学位，1999-2002在日本千叶大学从事博士后研究，曾获千叶大学“Nanohana Venture competition”奖励。长期从事宽禁带氮化物材料以及石墨烯及过渡金属硫化物等二维材料的研究工作，作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金等科研项目十余项。在高质量石墨烯薄膜材料的制备与应用研究方面，担任国家重大专项“晶圆级石墨烯材料与器件研究”项目中的石墨烯材料制备课题负责人，设计并建立了12英寸石墨烯生长用CVD设备，建立的大面积石墨烯薄膜的生长与转移技术。提出了多种石墨烯薄膜的掺杂改性方法；通过与器件单位合作，制备出截止频率超过290GHz的FET器件。相关结果在APL、carbon、nanoscale、nature communication等主流杂志共发表SCI论文50多篇，申请发明专利40多项，其中已授权20项。