主讲人简介：乔双，河北大学教授，坤舆学者，博导，河北省JCQN项目获得者，担任河北省光电信息材料重点实验室副主任、河北省光学学会常务理事。主要研究方向为低维半导体异质结中的光电/侧向光伏效应及调控机理。近年来，以第一/通讯作者在Sci. Bull.、Adv. Funct. Mater.、Adv. Sci.、Laser Photonics. Rev.、Appl. Phys. Lett.、Opt. Express等期刊发表SCI论文40余篇，以第一发明人授权国家发明专利2项，主持国家基金委项目2项，以合作单位负责人承担国家基金委重点项目1项，以研究骨干参与“973”国家重大基础研究发展计划等国家级项目4项；主持河北省杰青、优青、青年拔尖人才等项目5项。
报告内容概要：在均匀光照下，半导体p-n结上下表面会产生电势差，即光伏效应，该效应开发了半导体p-n结在太阳电池和光电探测器等方面的广泛应用，从而引起研究者的极大关注。然而，在非均匀光照下，由于光照区域和非光照区域间载流子浓度的不同在器件同一侧两不同位置间也会产生一个电势差，称为侧向光伏效应。并且，由于该效应中电压大小与光束位置间特殊的线性依赖关系，揭示了半导体异质结材料又一新的重要应用：光位敏探测器；同时根据其测量原理，该效应为探明半导体异质结表/界面处载流子的传输机理提供了重要理论依据。利用该效应我们系统研究了硅基垂直层状MoS2异质结中的侧向光伏效应，通过改变激光波长，功率，电极间距，结构优化和调控等条件，探索了异质结构中侧向光电压大小的变化规律和相应的物理机制，极大地推进了该结构材料在光位敏探测器方面的潜在应用；另外，为提高器件的工作稳定性，在此基础上，我们又探索了基于该结构材料光电阻特性和体光伏效应调控的新方法，通过利用侧向光伏效应中光生载流子横向传输对MoS2层中固有载流子漂移运动的有效散射调控，实现了基于侧向光电阻效应工作机制的新型高稳定光位敏探测器。
