研究方向：低维材料生长与表征，光电材料与器件、材料光学特性研究

亢玉彬，男，博士，硕士生导师。2022年6月毕业于长春理工大学光电工程学院，获光学工程专业工学博士学位。主要从事研究方向包括低维材料外延与表征、光电材料与器件、材料光学特性研究等。在高水平SCI期刊以第一作者发表论文10篇，其中包括ACS Photonics、Physical Chemistry Chemical Physics、Applied Physics Letters、Journal of Luminescence、Vacuum等，授权国家发明专利2项，荣获中国光学学会2021年度第十八届王大珩光学奖（社会科技奖）。

【在研项目】

国家自然科学基金委员会, 国家重大科研仪器研制项目, 62027820, THz集成系统近场信息扫描仪, 2021-01-01 至 2025-12-31, 537.68万元, 在研, 参与

【专利申请与授权】

1. 魏志鹏; 唐吉龙; 方铉; 亢玉彬; 王登魁; 房丹; 王新伟; 贾慧民; 王晓华; 马晓辉 ; 一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法, 2018-1-16, 中国, ZL201810039796.X;（国家发明专利）

2. 贾慧民; 魏志鹏; 唐吉龙; 亢玉彬; 方铉; 李洋; 林逢源; 王登魁; 马晓辉 ; 一种纳米线阵列器件的制备方法, 2018-11-28, 中国, ZL201811411998.9;（国家发明专利）

【获奖情况】

2021 年度第十八届王大珩光学奖，中国光学学会，社会科技奖；